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サブマウントおよびそれを備えた半導体装置

文献类型:专利

作者言水 孝二; 渡部 泰弘
发表日期2009-03-19
专利号JP2009059904A
著作权人三洋電機株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名サブマウントおよびそれを備えた半導体装置
英文摘要【課題】放熱特性と外形精度とを向上させることが可能なサブマウントを提供する。 【解決手段】このサブマウント10は、約30μm〜約50μmの平均粒径を有する窒化アルミニウム粒子を含む窒化アルミニウム層11と、窒化アルミニウム層11上に配置され、約5μm〜約20μmの平均粒径を有する窒化アルミニウム粒子を含む窒化アルミニウム層12とを備えている。 【選択図】図1
公开日期2009-03-19
申请日期2007-08-31
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51600]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三洋電機株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
言水 孝二,渡部 泰弘. サブマウントおよびそれを備えた半導体装置. JP2009059904A. 2009-03-19.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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