半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 中西 寿美代; 三宅 輝明; 中島 健二; 河本 清時; 岩本 学; 長尾 泰志 |
| 发表日期 | 2009-06-11 |
| 专利号 | JP2009130245A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】光の閉じ込めが不安定になるのを抑制しながら、放熱性(温度特性)を向上させることが可能な半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 【解決手段】この半導体レーザ素子10の製造方法は、電流ブロック層125およびリッジ部127の上側を覆うように、リッジ部127上に凸部126eを有するキャップ層126を形成する工程と、凸部126eの上面126b上に配置される部分15aの厚みが凸部126e以外の上面126d上に配置される部分15bの厚みよりも小さくなるように、キャップ層126上にマスク層15を形成する工程と、マスク層15の部分15bを途中の深さまで除去するとともに、マスク層15の部分15aを除去して凸部126eの上面126bを露出させる工程と、マスク層15の部分15bをマスクとして、キャップ層126の領域126aを所定の厚みだけ除去する工程とを備えている。 【選択図】図5 |
| 公开日期 | 2009-06-11 |
| 申请日期 | 2007-11-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51609]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中西 寿美代,三宅 輝明,中島 健二,等. 半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ装置の製造方法. JP2009130245A. 2009-06-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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