半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 畑 雅幸; 久納 康光; 別所 靖之 |
| 发表日期 | 2008-10-16 |
| 专利号 | JP2008252069A |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】半導体レーザ素子部の幅を小さくする場合にも、半導体レーザ素子の取り扱い(ハンドリング)が困難になるのを抑制することが可能な半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 【解決手段】この半導体レーザ素子の製造方法では、GaN基板50上に、共振器の延びる方向と交差するD方向に所定の間隔を隔てて複数の半導体レーザ素子部80を形成する工程と、複数の半導体レーザ素子部80のうちの一部を、支持基板31に接合する工程と、支持基板31を、共振器の延びるC方向に分割する工程とを備えている。 【選択図】図21 |
| 公开日期 | 2008-10-16 |
| 申请日期 | 2008-02-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51617]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 畑 雅幸,久納 康光,別所 靖之. 半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子. JP2008252069A. 2008-10-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。