端面保護構造付き半導体素子とその実装方法およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 竹内 剛 |
| 发表日期 | 2009-10-15 |
| 专利号 | JP2009238953A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 端面保護構造付き半導体素子とその実装方法およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 マルチチップ実装技術による実装時にも端面がダメージを受けず、高い歩留まりで実装可能な半導体素子を提供する。 【解決手段】 半導体素子15は、端面7からはみ出す形で形成された端面保護薄膜1を有し、付き合わせる相手側素子の対向面との間に端面保護薄膜1を挟みこむ形で実装される。実装時に端面保護薄膜1がクッションとなるため、半導体素子15の端面7(特にコア層17の周辺領域)が機械的ダメージを受けることがなく、半導体素子15の劣化を回避できる。端面保護薄膜1は、半導体素子15の端面7から入出射される光を遮らない位置にあり、端面保護薄膜1の膜厚は例えば0.5μm程度で十分薄いので、半導体素子15と相手側素子との光結合効率は十分に高く維持される。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-10-15 |
| 申请日期 | 2008-03-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51624]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹内 剛. 端面保護構造付き半導体素子とその実装方法およびその製造方法. JP2009238953A. 2009-10-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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