半導体レーザモジュールおよび投射型表示装置
文献类型：专利
| 作者 | 若林 和弥; 長沼 香; 今西 大介 |
| 发表日期 | 2009-12-03 |
| 专利号 | JP2009283778A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザモジュールおよび投射型表示装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 簡易な構成で発振波長を多重化し、コヒーレンシーを低下させることができる半導体レーザモジュール、およびこの半導体レーザモジュールを備えることによりスペックルノイズの低減した投射型表示装置を提供する。 【解決手段】ヒートシンク11の表面に、半導体レーザアレイ10を囲むように補剛材12A,12Bからなる補剛部12を設ける。補剛材12A,12Bは互いに線膨張係数が異なり、その線膨張係数の差に応じて半導体レーザアレイ10の複数の素子のうち補剛材12Aに対向する領域の素子(第1の素子群)と、補剛材12Bに対向する領域の素子(第2の素子群)とでは、ヒートシンク11との熱膨張係数の差により生ずる応力の大きさが異なる。これにより半導体レーザアレイ10からは2種類の発振波長により多重化されたレーザ光が出力される。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-12-03 |
| 申请日期 | 2008-05-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51633]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 若林 和弥,長沼 香,今西 大介. 半導体レーザモジュールおよび投射型表示装置. JP2009283778A. 2009-12-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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