半導体レーザ素子用エージング装置および半導体レーザ素子の試験方法
文献类型：专利
| 作者 | 辻 亮 |
| 发表日期 | 2009-12-24 |
| 专利号 | JP2009302263A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子用エージング装置および半導体レーザ素子の試験方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザ素子の温度制御を高い精度で行うことを可能にし、かつ半導体レーザ素子に対する、信頼度の高い評価結果を得ることのできる半導体レーザ素子用エージング装置、および半導体レーザ素子の試験方法を提供することである。 【解決手段】 半導体レーザ素子用エージング装置20において、駆動制御部32は、電圧印加部26を制御し、半導体レーザ素子23の発光強度を予め定める値に調整する。送風部33は、収容槽21内に予め定める向きの風を送る。評価部34は、受光測定部28および電流測定部27の少なくともいずれか一方の測定結果が入力値として入力され、予め定める評価基準に基づいて半導体レーザ素子23を評価し、評価結果を出力する。補正部36は、入力値および評価基準の少なくともいずれか1つを補正する。 【選択図】 図1 |
| 公开日期 | 2009-12-24 |
| 申请日期 | 2008-06-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51635]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 辻 亮. 半導体レーザ素子用エージング装置および半導体レーザ素子の試験方法. JP2009302263A. 2009-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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