面発光装置およびその製造方法
文献类型:专利
| 作者 | 松原 秀樹; 齊藤 裕久 |
| 发表日期 | 2010-04-30 |
| 专利号 | JP2010098135A |
| 著作权人 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】室温において単一波長で発振可能であるとともに、安定して動作することが可能な量子カスケードレーザ素子を備えた面発光装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】面発光装置1は、ヒートシンク80と、面発光素子2とを備えている。面発光素子2は、n-InP基板10と、量子カスケード活性層30と、n-InGaAsバッファ層20およびn-InGaAsガイド層40と、n-InGaAsバッファ層20およびn-InGaAsガイド層40と積層され、量子カスケード活性層30と独立したフォトニック結晶層50と、量子カスケード活性層30と積層するように形成された表面電極60と、表面電極60に接続される金属パッド70とを含む。そして、金属パッド70とヒートシンク80とがはんだ層91を介して接続されることにより、面発光素子2はヒートシンク80に搭載されている。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2010-04-30 |
| 申请日期 | 2008-10-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51657] ![]() |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松原 秀樹,齊藤 裕久. 面発光装置およびその製造方法. JP2010098135A. 2010-04-30. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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