半導体レーザ製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 長沼 香 |
| 发表日期 | 2010-06-10 |
| 专利号 | JP2010129922A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】短時間に且つ容易に高精度の半導体レーザを実装できるようにする。 【解決手段】まず、複数の半導体レーザチップを構成する半導体レーザバーと一面に絶縁層を有する第一電極とを、バキューム穴を有する固定テーブル上に、第一電極の絶縁層を固定テーブル上に向けた状態で、それぞれ所定の相対位置関係にてバキューム穴から空気を吸引することで固定する。そして、第一電極と半導体レーザバーを導電体の接続材でボンディングすると共に、ボンディングの際に加わる衝撃を利用して半導体レーザバーから半導体レーザチップを分離する。その後、半導体レーザチップを第二電極に固定すると共に第一電極の絶縁層を第二電極に接着する。 【選択図】図4 |
| 公开日期 | 2010-06-10 |
| 申请日期 | 2008-11-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51666]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 長沼 香. 半導体レーザ製造方法. JP2010129922A. 2010-06-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。