半導体発光素子の検査方法
文献类型：专利
| 作者 | 古川 将人 |
| 发表日期 | 2013-01-24 |
| 专利号 | JP2013016733A |
| 著作权人 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子の検査方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 光送信モジュールに実装する前の段階において半導体発光素子を選別可能な半導体発光素子の検査方法を提供する。 【解決手段】サンプル素子の光出力値を測定すると共にサンプルモジュールの光出力値を測定する。それら測定値に基づいて光ファイバF1と半導体レーザ素子3との結合効率の最大値と最小値とを決定する。対象素子の電流光出力特性を取得する。結合効率の最小値に基づいて、対象素子が実装された光送信モジュール100の光出力値が第1の光出力値となる対象素子の第2の光出力値を求める。対象素子の光出力値が第2の光出力値となる第1の駆動電流を求める。結合効率の最大値に基づいて、対象素子が実装された光送信モジュール100の光出力値が第3の光出力値となる対象素子の第4の光出力値を求める。対象素子の光出力値が第4の光出力値となる第2の駆動電流を求める。 【選択図】図4 |
| 公开日期 | 2013-01-24 |
| 申请日期 | 2011-07-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51696]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 古川 将人. 半導体発光素子の検査方法. JP2013016733A. 2013-01-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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