光電変換素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 成井 啓修; 谷口 健博 |
| 发表日期 | 1999-12-10 |
| 专利号 | JP1999340570A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光電変換素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 放熱を促進することにより発熱の影響を抑制することができる光電変換素子およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 同一の基板11に複数のレーザ発振部20を備える。各レーザ発振部20の間には各絶縁層14を介して放熱層15を設ける。各レーザ発振部20の間はこの放熱層15により平坦化される。放熱層15を基板11と格子整合しかつ不純物を添加しない半導体により構成し、基板11の表面にエピタキシャル成長させて形成する。放熱層15の表面には絶縁層16を形成する。よって、各レーザ発振部20において発生した熱を放熱層15により積極的に放熱でき、熱干渉による閾値電圧の上昇や発光出力の低下を抑制できる。また、放熱層15によりレーザ発振部側の表面を平坦化でき、多層配線が容易となる。 |
| 公开日期 | 1999-12-10 |
| 申请日期 | 1998-05-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/52142]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 成井 啓修,谷口 健博. 光電変換素子およびその製造方法. JP1999340570A. 1999-12-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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