光半導体装置とその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 下川 一生; 冨岡 泰造 |
| 发表日期 | 2007-07-12 |
| 专利号 | JP2007180059A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 効率が高く、信頼性が高い光半導体装置およびその製造方法を提供すること。 【解決手段】 半導体素子1のリードフレーム12へのマウントをする際に、半導体素子 1およびリードフレームの接合される領域については、Ag,もしくはAg合金によるめ っき膜4を施し、なおかつ、マウントにおける接合材料としてはナノ粒子を含む導電性接 着剤11を用いた。これにより光半導体素子からの発熱を効率的にパッケージ外に放出す るとともに、光を放出する性能を維持しやすい構造が構成でき、長期にわたる信頼性も確 保できた。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2007-07-12 |
| 申请日期 | 2005-12-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/53759]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 下川 一生,冨岡 泰造. 光半導体装置とその製造方法. JP2007180059A. 2007-07-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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