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Semiconductor laser apparatus and fabrication method of the same

文献类型:专利

作者MUKOYAMA, NAOTAKA; NAKAYAMA, HIDEO; MURAKAMI, AKEMI; ISHII, RYOJI; KUWATA, YASUAKI
发表日期2007-04-26
专利号US20070091952A1
著作权人FUJI XEROX CO., LTD.
国家美国
文献子类发明申请
其他题名Semiconductor laser apparatus and fabrication method of the same
英文摘要There is provided a semiconductor laser apparatus. An electrode of a semiconductor laser diode is bonded via a die attach and the electrode of the semiconductor laser diode includes Au and at least one of materials that compose the die attach except Au, in advance.
公开日期2007-04-26
申请日期2006-01-25
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/53765]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位FUJI XEROX CO., LTD.
推荐引用方式
GB/T 7714
MUKOYAMA, NAOTAKA,NAKAYAMA, HIDEO,MURAKAMI, AKEMI,et al. Semiconductor laser apparatus and fabrication method of the same. US20070091952A1. 2007-04-26.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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