中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
光デバイスの製造方法

文献类型:专利

作者北村 直樹
发表日期2011-05-19
专利号JP2011099905A
著作权人NEC CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名光デバイスの製造方法
英文摘要【課題】光モジュールの組み立て精度に起因する結合損失を抑制することができる光デバイスの製造方法を提供すること 【解決手段】本発明にかかる光デバイスの製造方法は、ベース基材12とベース基材12上に設置された光素子11とを有する光モジュール1を、基板4に搭載する光デバイスの製造方法であって、光素子11に入射される入射光101と、入射光101が入射する入射面14あるいは前記入射光101が前記光素子11を通過し出射される出射面14とがなす角度aを検出するステップと、検出した角度aが所定の角度となるように、光モジュール1を基板4に搭載するステップと、を備える。 【選択図】図1
公开日期2011-05-19
申请日期2009-11-04
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/54113]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位NEC CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
北村 直樹. 光デバイスの製造方法. JP2011099905A. 2011-05-19.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。