半導体装置および発光装置
文献类型:专利
作者 | 和田 聡; 井手 公康 |
发表日期 | 2017-08-31 |
专利号 | JP2017152504A |
著作权人 | 豊田合成株式会社 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半導体装置および発光装置 |
英文摘要 | 【課題】実装基板に半導体素子がフェイスダウン実装された半導体装置において、実装基板の配線層の表面と、半導体素子の電極の表面と、フリップチップボンディングのための接続部材の表面とを、保護膜により確実に被覆することが可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】発光装置10(半導体装置)は、実装基板11、配線層12a〜12c、LEDチップ20a,20b、各パッド電極27,28、接続部材13a,13b、無機保護膜14、ALD膜15などを備える。ALD膜15は、配線層12a〜12cと接続部材13a,13bとLEDチップ20a,20bと無機保護膜14と配線層12a〜12cから露出した実装基板11との表面全体を一体的に連続して被覆する。ALD膜15は原子層堆積法を用いて形成され、ALD膜15の膜厚は実装基板11とLEDチップ20a,20bとの隙間よりも薄く形成されている。 【選択図】 図1 |
公开日期 | 2017-08-31 |
申请日期 | 2016-02-24 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/54662] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 豊田合成株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 和田 聡,井手 公康. 半導体装置および発光装置. JP2017152504A. 2017-08-31. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。