一种高电流密度、高散热系数的半导体激光器制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 陈康; 苏建; 任夫洋; 刘青; 王金翠; 肖成峰; 郑兆河 |
| 发表日期 | 2019-02-12 |
| 专利号 | CN109326952A |
| 著作权人 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种高电流密度、高散热系数的半导体激光器制备方法 |
| 英文摘要 | 一种高电流密度、高散热系数的半导体激光器制备方法，依次包括如下步骤：a)采用MOCVD法生长半导体激光器外延片；b)在接触层上生长保护层；c)在保护层上粘接临时衬底；d)对第一衬底进行减薄处理；e)在第一衬底下端切割N个开槽；f)进行湿法氧化处理；g)对第一衬底进行蒸发键合金属处理；h)去除临时衬底；i)制成激光器。通过湿法氧化处理后，制备了电流截止区域，能使脊上有较大的电流密度，提升光电转换效率，同时在第一衬底下方制作第二衬底，第二衬底相比第一衬底具备更高的热扩散系数，有利于激光器散热，提高激光器的寿命和可靠性。 |
| 公开日期 | 2019-02-12 |
| 申请日期 | 2017-07-31 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/54992]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈康,苏建,任夫洋,等. 一种高电流密度、高散热系数的半导体激光器制备方法. CN109326952A. 2019-02-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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