半导体激光器件高频电极装置及制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 周代兵; 梁松 |
| 发表日期 | 2019-02-12 |
| 专利号 | CN109326955A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器件高频电极装置及制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器件高频电极装置及制作方法，该装置制作方法包括：在刻蚀完脊型波导的半导体激光器件上面利用化学气相沉积设备生长二氧化硅；采用反转胶光刻出脊型波导窗口，并采用氢氟酸腐蚀液腐蚀掉窗口的二氧化硅；涂覆聚酰亚胺，氮气环境下固化；采用化学气相沉积生长氮化硅；光刻并结合反应离子刻蚀技术去掉脊型波导窗口上面以及解理条处的聚酰亚胺和氮化硅；溅射金属接触层；光刻电极图形。该装置利用二氧化硅、聚酰亚胺和氮化硅三层作为高频电极的衬底，既防止了二氧化硅直接暴露在大气中吸潮而影响器件的老化寿命，又解决了聚酰亚胺与钛金电极接触不牢靠的问题，大大提升了器件的可靠性。 |
| 公开日期 | 2019-02-12 |
| 申请日期 | 2018-09-25 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/54993]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周代兵,梁松. 半导体激光器件高频电极装置及制作方法. CN109326955A. 2019-02-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。