分布反馈半导体激光器芯片测试过程中降低温升影响方法
文献类型：专利
| 作者 | 邱德明; 张振峰; 杨国良 |
| 发表日期 | 2019-02-22 |
| 专利号 | CN109375088A |
| 著作权人 | 武汉盛为芯科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 分布反馈半导体激光器芯片测试过程中降低温升影响方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开分布反馈半导体激光器芯片测试过程中降低温升影响方法，包括以下步骤：连续施加脉冲电流Ii；脉冲电流0＜Ii≤100mA；施加脉冲电流Ii的时间间隔5‑20μs，脉冲电流Ii占空比为50％；施加脉冲电流时，采集分布反馈半导体激光器芯片在各个脉冲电流Ii的光功率，记录每个脉冲电流Ii下的光功率P；根据光功率P记录分布反馈半导体激光器芯片的发光电流阈值Ith；将脉冲电流Ii时间间隔设置为5‑20μs，选择测量误差最小作为脉冲电流Ii的时间间隔标准值，用于每次测试所施加脉冲电流Ii时间间隔。本发明在持续脉冲供电过程中，通过在分布反馈半导体激光器芯片施加低电平的间隙使得分布反馈半导体激光器芯片散热，有效降低了温度升高给测试结果带来的影响。 |
| 公开日期 | 2019-02-22 |
| 申请日期 | 2018-08-10 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55019]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉盛为芯科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邱德明,张振峰,杨国良. 分布反馈半导体激光器芯片测试过程中降低温升影响方法. CN109375088A. 2019-02-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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