柔性VCSEL阵列器件及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 李川川; 韦欣; 李健; 汪超; 廖文渊 |
| 发表日期 | 2019-02-22 |
| 专利号 | CN109378709A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 柔性VCSEL阵列器件及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种柔性VCSEL阵列器件及其制备方法，属于半导体激光器领域。本发明的主要结构包括VCSEL阵列和柔性基底，所述VCSEL阵列是由柔性VCSEL单元组成，去除衬底后器件激射波长可为紫外光至红外光。其制备方法包括：制备VCSEL阵列单元外延结构；在所述VCSEL阵列单元上制备上电极，并实现电极互连；在所述上电极上粘接嫁接基底；剥离所述外延结构的衬底；制备下电极并形成欧姆接触；将所述下电极与柔性基底粘接，并去除所述嫁接基底。本发明提供的激光器具可弯曲形变、环境适应力强、制备工序简便、可实现大面阵集成、亦可实现不同阵列单独控制、通过压力形变实现偏振模式选择等特点。 |
| 公开日期 | 2019-02-22 |
| 申请日期 | 2018-12-13 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55026]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李川川,韦欣,李健,等. 柔性VCSEL阵列器件及其制备方法. CN109378709A. 2019-02-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。