半导体激光器装置、半导体激光器模块及焊接用激光器光源系统
文献类型：专利
| 作者 | 中谷东吾; 冈口贵大; 池户教夫; 横山毅; 薮下智仁; 高山彻; 高须贺祥一 |
| 发表日期 | 2019-03-01 |
| 专利号 | CN109417276A |
| 著作权人 | 松下知识产权经营株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器装置、半导体激光器模块及焊接用激光器光源系统 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体激光器装置、半导体激光器模块及焊接用激光器光源系统。半导体激光器装置(100)具备第1导电侧的第1半导体层(13)、第1导电侧的第2半导体层(14)、活性层(15)、与第1导电侧不同的第2导电侧的第3半导体层(16)和第2导电侧的第4半导体层(17)，在将第2半导体层(14)以及第3半导体层(16)的带隙能量的最大值分别设为Eg2以及Eg3时，满足Eg2＜Eg3的关系式，第3半导体层(16)具有带隙能量朝向第4半导体层(17)单调减少的第1区域层，在将第2半导体层(14)的杂质浓度设为N2，将第3半导体层(16)的杂质浓度设为N3时，满足N2＞N3的关系式。 |
| 公开日期 | 2019-03-01 |
| 申请日期 | 2017-06-16 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55034]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下知识产权经营株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中谷东吾,冈口贵大,池户教夫,等. 半导体激光器装置、半导体激光器模块及焊接用激光器光源系统. CN109417276A. 2019-03-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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