能够发射涡旋空心光的垂直腔面发射半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 晏长岭; 刘云; 冯源; 杨静航; 逄超 |
| 发表日期 | 2019-03-01 |
| 专利号 | CN109412016A |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 能够发射涡旋空心光的垂直腔面发射半导体激光器 |
| 英文摘要 | 能够发射涡旋空心光的垂直腔面发射半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有技术采用固体激光器输出涡旋空心光，器件体积较大，腔内相位转换装置结构复杂。本发明自上而下依次是上电极、欧姆接触层、上分布布拉格反射镜、氧化物限制层、有源增益区、下分布布拉格反射镜、衬底、下电极；欧姆接触层、上分布布拉格反射镜以及有源增益区层叠在一起构成一个空心圆柱；在所述空心圆柱中有高阻区；其特征在于，上电极位于欧姆接触层上表面边缘的局部区域，下电极位于衬底下表面边缘的局部区域，上电极的几何中心、下电极的几何中心的连线与激光器轴线相交，上电极的圆心角θ′、下电极的圆心角θ″均在30°～90°范围内。 |
| 公开日期 | 2019-03-01 |
| 申请日期 | 2018-10-25 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55036]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 晏长岭,刘云,冯源,等. 能够发射涡旋空心光的垂直腔面发射半导体激光器. CN109412016A. 2019-03-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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