一种倒台型高速半导体激光器芯片及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 程宗鸿; 李亮; 熊永华; 吴倩; 余斯佳; 岳爱文 |
| 发表日期 | 2019-03-01 |
| 专利号 | CN109412020A |
| 著作权人 | 武汉电信器件有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种倒台型高速半导体激光器芯片及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及激光器技术领域，提供了一种倒台型高速半导体激光器芯片及其制备方法，其中方法包括：在外延片表面生长SiNx掩膜层，刻出双沟图形；利用化学腐蚀得到倒台型脊条，并去除外延片表面剩余的SiNx掩膜层；在外延片表面生长第一SiO2保护层，再填充BCB层，光刻固化后留下双沟与压焊电极区域的BCB，再继续生长第二SiO2保护层；去除所述脊条表面的SiO2，完成电极制作。通过填充BCB，解决了倒台电极容易发生断裂以及在倒角容易形成空洞的问题，还减小激光器寄生电容，有利于激光器获得更大的调制带宽，可调制带宽达25Ghz以上；在BCB上还覆盖一层二氧化硅，避免电极直接制作在BCB上容易掉金。 |
| 公开日期 | 2019-03-01 |
| 申请日期 | 2018-11-26 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55037]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉电信器件有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程宗鸿,李亮,熊永华,等. 一种倒台型高速半导体激光器芯片及其制备方法. CN109412020A. 2019-03-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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