延长腔面光源VCSEL及其应用
文献类型：专利
| 作者 | 王俊; 谭少阳; 赵智德; 荣宇峰; 廖新胜 |
| 发表日期 | 2019-03-01 |
| 专利号 | CN109412019A |
| 著作权人 | 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 延长腔面光源VCSEL及其应用 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种延长腔面光源VCSEL及其应用，其中，延长腔面光源VCSEL包括：‑N面电极、衬底层、外延层、P面电极；P面电极、外延层、衬底层、‑N面电极自上而下依次层叠设置，P面电极包括：上DBR结构、有源层结构以及下DBR结构，上DBR结构、有源层结构以及下DBR结构自上而下依次层叠设置，上DBR结构与下DBR结构之间形成延长腔面光源VCSEL的谐振腔，上DBR结构的端面还设置有第一介质薄膜，下DBR结构与外延片之间还设置有第二介质薄膜。本发明通过介质薄膜增加半导体激光器谐振腔腔长，进而改变激光器的模式，将高阶模光束转化为低阶模光束，进而降低光束发散角，减小带宽。 |
| 公开日期 | 2019-03-01 |
| 申请日期 | 2018-12-29 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55039]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王俊,谭少阳,赵智德,等. 延长腔面光源VCSEL及其应用. CN109412019A. 2019-03-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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