具有低阀值电流的半导体激光二极管
文献类型：专利
| 作者 | 亚力克斯 约丁; 谷善彦; 瓦莱里·贝里曼-博斯奎特; 伊藤茂稔 |
| 发表日期 | 2019-03-05 |
| 专利号 | CN109428264A |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 具有低阀值电流的半导体激光二极管 |
| 英文摘要 | 一种III族氮化物基激光发光装置包括：n侧III族氮化物基半导体区域；p侧III族氮化物基半导体区域；以及位于所述p侧III族氮化物基半导体区域和所述n侧III族氮化物基半导体区域之间的III族氮化物基有源区。所述III族氮化物基有源区包括第一量子阱层和第二量子阱层，以及位于第一量子阱层和第二量子阱层之间的势垒层，第一量子阱层和第二量子阱层各自的组分包括各自不同的铟含量。所述第一量子阱比所述第二量子阱更靠近n侧III族氮化物基半导体区域，所述第二量子阱比所述第一量子阱更靠近p侧III族氮化物基半导体区域，并且第一量子阱具有比第二量子阱更大的带隙。 |
| 公开日期 | 2019-03-05 |
| 申请日期 | 2018-08-22 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55043]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 亚力克斯 约丁,谷善彦,瓦莱里·贝里曼-博斯奎特,等. 具有低阀值电流的半导体激光二极管. CN109428264A. 2019-03-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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