一种半导体激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 佟存柱; 宿家鑫; 汪丽杰; 舒世立; 田思聪; 张新; 王立军 |
| 发表日期 | 2019-03-08 |
| 专利号 | CN109449756A |
| 著作权人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种半导体激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器，在传输层背向衬底一侧表面的内脊区设置有剪裁损耗区，在剪裁损耗区设置有盲孔，该盲孔的底面与第二包层朝向衬底一侧表面的距离小于传输层中倏逝波长度。该盲孔可以通过影响倏逝波来影响半导体激光器中光线传输的光场特性。由于剪裁损耗区为与内脊区任一长边的距离小于内脊区宽边长度的25％，且与内脊区任一宽边的距离小于内脊区长边长度的20％的区域，使得盲孔可以有效的增加半导体激光器中高阶模式的损耗，提高激光的光束质量；同时由于不需要减小半导体激光器波导的宽度，使得半导体激光器具有较高的亮度。本发明还提供了一种半导体激光器的制备方法，所制得的半导体激光器同样具有上述有益效果。 |
| 公开日期 | 2019-03-08 |
| 申请日期 | 2018-12-25 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55049]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佟存柱,宿家鑫,汪丽杰,等. 一种半导体激光器及其制备方法. CN109449756A. 2019-03-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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