一种GaN基低阶表面光栅DFB激光器的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 李俊泽; 张建 ; 邓泽佳; 杨浩军; 李沫
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| 发表日期 | 2019-03-12 |
| 专利号 | CN109462144A |
| 著作权人 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种GaN基低阶表面光栅DFB激光器的制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种GaN基低阶表面光栅DFB激光器的制备方法，包括步骤：GaN基激光器外延片上沉积SiO2掩膜；使用纳米压印技术在基片表面制备均匀的布拉格光栅，光刻技术制作条形图样，形成脊型与光栅的复合结构；刻蚀GaN，经条形光刻胶与光栅状SiO2复合结构掩膜刻蚀外延片，形成具有脊型的表面复合光栅结构；制备激光器芯片上下电极结构，得到GaN基DFB半导体激光器。本发明将光栅制备与工艺后期所需的脊型图样同时刻蚀，分别通过纳米压印模板与光刻版图设计组合，能针对不同波长、不同阶光栅、不同尺寸GaN基DFB激光器进行设计与制备，能大幅降低GaN基DFB半导体激光器成本，有效提高产品的均匀性。 |
| 公开日期 | 2019-03-12 |
| 申请日期 | 2018-11-09 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55065]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李俊泽,张建,邓泽佳,等. 一种GaN基低阶表面光栅DFB激光器的制备方法. CN109462144A. 2019-03-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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