一种可对近红外发光调控的BTO基陶瓷材料及其制备方法
文献类型:专利
作者 | 戴能利; 娄阳; 胡雄伟; 彭景刚; 杨旅云; 李海清 |
发表日期 | 2019-03-19 |
专利号 | CN109485411A |
著作权人 | 华中科技大学 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 一种可对近红外发光调控的BTO基陶瓷材料及其制备方法 |
英文摘要 | 本发明公开了一种可对近红外发光调控的Er,Yb离子共掺BTO基陶瓷材料及其制备方法,以BaTiO3作为基体,以稀土离子Er3+、Yb3+为掺杂离子,用溶胶‑凝胶法进行稀土离子掺杂BTO基陶瓷制备。本发明掺杂陶瓷材料,实现晶粒的纳米化,对1000nm和1550nm进行2~3nm的频率调控。在915nm或980nm半导体激光源的泵浦下,发出中心波长为1000nm和1550nm的近红外光。当外界环境因素如泵浦功率和环境温度变化时,近红外光的两个中心波长发生频移的现象,尤其是中心波长为1550nm的波段频移更为明显。该掺杂陶瓷材料可用于近红外传感、特定光学波长的探测和特殊稀土离子的微观结构定位等。 |
公开日期 | 2019-03-19 |
申请日期 | 2018-11-09 |
状态 | 申请中 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55082] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 华中科技大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 戴能利,娄阳,胡雄伟,等. 一种可对近红外发光调控的BTO基陶瓷材料及其制备方法. CN109485411A. 2019-03-19. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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