一种减小脊间串扰的多脊型半导体激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 杨浩军; 王文杰; 谢武泽; 李沫; 李俊泽; 邓泽佳; 廖明乐; 罗惠文 |
| 发表日期 | 2019-03-19 |
| 专利号 | CN109494567A |
| 著作权人 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种减小脊间串扰的多脊型半导体激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种减小脊间串扰的多脊型半导体激光器及其制备方法，所述多脊型半导体激光器包括衬底及其上面包括下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层等在内的外延结构；外延结构上包含多个脊型部，每个脊型部从外延层顶部到达有源层以下，脊型部间的间隙以高阻、低热导率、低折射率物质填充，以使得各脊型部有源区相互隔离；然后在脊型部上部一一对应设置有欧姆接触电极，欧姆接触电极上设置有用于连接的顶电极。本发明提供的多脊型半导体激光器，可以实现各脊型部间电、光的相互独立，有效减小了脊间的热串扰，为获得大功率激光器提供了一种解决思路。 |
| 公开日期 | 2019-03-19 |
| 申请日期 | 2018-12-07 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55084]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨浩军,王文杰,谢武泽,等. 一种减小脊间串扰的多脊型半导体激光器及其制备方法. CN109494567A. 2019-03-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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