半导体激光器、电子设备和驱动半导体激光器的方法
文献类型：专利
| 作者 | 大野智辉; 大畑豊治; 小山享宏; 滝口干夫; 田中雅之 |
| 发表日期 | 2019-04-02 |
| 专利号 | CN109565153A |
| 著作权人 | 索尼公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器、电子设备和驱动半导体激光器的方法 |
| 英文摘要 | 在根据本公开的实施方式的半导体激光器中，脊部具有以下结构，其中，多个增益区域和多个Q开关区域各自交替地布置，分离区域中的每个分离区域在脊部的延伸方向上介于其间。分离区域各自具有分离凹槽，分离凹槽通过空间将彼此相邻的增益区域和Q开关区域彼此分离。分离凹槽的底表面所在的位置在第二半导体层中高于与脊部的两侧中的每一侧的脚部对应的部分。 |
| 公开日期 | 2019-04-02 |
| 申请日期 | 2017-07-12 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55117]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大野智辉,大畑豊治,小山享宏,等. 半导体激光器、电子设备和驱动半导体激光器的方法. CN109565153A. 2019-04-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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