片上集成半导体激光器结构及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 杨成奥; 牛智川; 张宇; 徐应强; 谢圣文; 张一; 尚金铭 |
| 发表日期 | 2019-04-05 |
| 专利号 | CN109586159A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 片上集成半导体激光器结构及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种片上集成半导体激光器结构及其制备方法，该设计结构包括：依次沉积在衬底上的第一N接触层、第一N限制层、第一有源区、第一P限制层、第一P接触层、隔离层，第二N接触层、第二N限制层、第二有源区、第二P限制层和第二P接触层作为外延结构，通过光刻刻蚀该外延结构实现双波长激光器的制作；以及波导结构，包括第一激光器的波导结构和第二激光器的波导结构；光栅，设置于第一激光器的波导结构和第二激光器的波导结构两侧，实现激光模式的筛选；和电流注入窗口。本发明通过在同一片外延上实现不同波段半导体激光器外延材料生长，实现了不同波长激光器的片上集成，达到在同一激光器上激射不同波长的激光的目的。 |
| 公开日期 | 2019-04-05 |
| 申请日期 | 2019-01-22 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55125]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨成奥,牛智川,张宇,等. 片上集成半导体激光器结构及其制备方法. CN109586159A. 2019-04-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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