一种VCSEL芯片及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 田宇; 韩效亚; 吴真龙; 杜石磊 |
| 发表日期 | 2019-04-12 |
| 专利号 | CN109616871A |
| 著作权人 | 扬州乾照光电有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种VCSEL芯片及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种VCSEL芯片及其制作方法，包括：提供样品，样品包括衬底以及位于衬底表面的外延结构层，外延结构层包括第一半导体层、MQW层、第二半导体层和第一GaAs缓冲层；对样品进行多个阶段的烘烤，并在中间的至少一个阶段中，使样品在As源气体中烘烤；采用间歇式生长方法在外延结构层表面生长第二GaAs缓冲层。其中对样品进行多个阶段的烘烤，可以消除样品表面的杂质、胶等，从而可以提高后续形成的膜层的质量；而采用间歇式生长方法生长第二GaAs缓冲层，可以使得第二GaAs缓冲层具有平整的表面，进而可以提高后续形成的膜层的质量，使得VCSEL芯片具有较低的阈值电流，较高的增益以及更高的功率。 |
| 公开日期 | 2019-04-12 |
| 申请日期 | 2018-12-04 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55153]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 扬州乾照光电有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田宇,韩效亚,吴真龙,等. 一种VCSEL芯片及其制作方法. CN109616871A. 2019-04-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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