单片集成互注入型窄线宽半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 刘建国; 于海洋; 杨成悟; 邹灿文; 郭锦锦 |
| 发表日期 | 2019-04-12 |
| 专利号 | CN109616870A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 单片集成互注入型窄线宽半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本公开提供了一种单片集成互注入型窄线宽半导体激光器。下包层、第一有源区、第二有源区、对接层、上包层、第一电极层和第二电极层；其中第一有源区、第二有源区通过对接层相连；第一有源区、第二有源区和对接层的下表面均与下包层的上表面相连，其中第一有源区、第二有源区和对接层的上表面均与上包层的下表面相连。本公开中第一有源区和第二有源区通过对接层实现互注入作用，在抑制频率噪声，压窄激光线宽的同时，对激射波长实现锁定，避免了传统的利用外腔压窄线宽结构的跳模危险，提高了频率的稳定性；同时本公开中采用的单片集成，利于完善器件的功能、提高器件的性能、减少器件的体积、降低器件的功耗，从而显著地降低了器件的成本，提高了器件的可靠性。 |
| 公开日期 | 2019-04-12 |
| 申请日期 | 2019-01-24 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55159]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘建国,于海洋,杨成悟,等. 单片集成互注入型窄线宽半导体激光器. CN109616870A. 2019-04-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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