可调谐耦合腔半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 郝友增; 黄永箴; 杨跃德; 肖金龙; 王福丽; 汤敏; 翁海中 |
| 发表日期 | 2019-04-16 |
| 专利号 | CN109638645A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 可调谐耦合腔半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种可调谐耦合腔半导体激光器，包括：FP腔；变形式回音壁微腔，与FP腔的第一端相连接，作为FP腔的一个反射端面，该变形式回音壁微腔与FP腔形成一耦合腔结构；以及电隔离槽，设置于FP腔与变形式回音壁微腔之间；其中，光从FP腔的第二端入射后进入变形式回音壁微腔中，在变形式回音壁微腔内经过若干反射后特定波长的光反射回FP腔中。该可调谐耦合腔激光器激射的耦合模在FP腔内模式的基模占比很高，从而降低光在FP腔中的损耗，同时使耦合腔激射模式更稳定、输出功率更高；同时，变形式回音壁微腔的等效反射率谱对腔中的增益变化不敏感，激射模式不容易跳变到相邻纵模，使得可调谐耦合腔激光器可获得大的波长调谐范围。 |
| 公开日期 | 2019-04-16 |
| 申请日期 | 2018-12-29 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55163]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郝友增,黄永箴,杨跃德,等. 可调谐耦合腔半导体激光器. CN109638645A. 2019-04-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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