一种降低微腔半导体激光器阈值的方法
文献类型:专利
作者 | 张昭宇; 刘秀; 方铉; 周陶杰; 项国洪; 项博媛 |
发表日期 | 2019-04-19 |
专利号 | CN109659810A |
著作权人 | 香港中文大学(深圳) |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 一种降低微腔半导体激光器阈值的方法 |
英文摘要 | 本发明提供了一种降低微腔半导体激光器阈值的方法,包括:将制备得到的微腔半导体激光器器件通入惰性气体启辉;通入等离子气体进行电离,使所述等离子气体附着于所述微腔半导体激光器器件的微腔腔体上,形成表面钝化,以便于降低所述微腔半导体激光器器件的激光器阈值。本发明实现了抑制材料非辐射复合过程,提高发光效率,有效降低激光器件阈值;避免了现有解决激光器器件表面态的(工作阈值)方式为通过含硫溶液进行的钝化手段,但其重复性较差,不易控制,且易破坏微纳尺度器件的缺陷。 |
公开日期 | 2019-04-19 |
申请日期 | 2018-12-24 |
状态 | 申请中 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55177] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 香港中文大学(深圳) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张昭宇,刘秀,方铉,等. 一种降低微腔半导体激光器阈值的方法. CN109659810A. 2019-04-19. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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