一种半导体激光芯片制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 仇伯仓 |
| 发表日期 | 2019-04-23 |
| 专利号 | CN109672088A |
| 著作权人 | 江西德瑞光电技术有限责任公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种半导体激光芯片制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种半导体激光芯片制造方法，其制作方法包括，1)、生长衬底依次外延生长为N型包层材料、次波导、主波导、P型包层材料；2)、利用次波导材料的折射率大于包层材料的折射率，次波导对光的空间限制强度弱于主波导，这里一个波导对光的空间限制强度被定义为：3)、沿光波导方向，波导刻蚀深度逐渐加深或者波导的厚度逐渐变薄，光波导中光模式的传播常数相应减小，从而迫使部分光场向次波导转移。本发明优点：可以降低高功率半导体激光器腔面的功率密度，从而提高器件的可靠性。 |
| 公开日期 | 2019-04-23 |
| 申请日期 | 2018-12-29 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55189]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 江西德瑞光电技术有限责任公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 仇伯仓. 一种半导体激光芯片制造方法. CN109672088A. 2019-04-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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