一种双向输出半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 邹永刚; 海一娜; 范杰; 石琳琳; 王海珠; 兰云萍; 马晓辉; 徐英添; 张贺; 郝永芹 |
| 发表日期 | 2019-04-26 |
| 专利号 | CN109687286A |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种双向输出半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本申请属于半导体封装技术领域，特别是涉及一种双向输出半导体激光器。现有的双向输出半导体激光器结构复杂，制备工艺繁琐。本申请提供了一种双向输出半导体激光器，包括相对设置的N面电极和P面电极，N面电极与P面电极之间设置有功能层，在第一方向上，功能层包括依次设置的衬底、N型限制层、N型波导层、有源区、P型波导层和P型限制层，第一方向为由所述N面电极指向P面电极的方向；P面电极与P型限制层之间设置有二阶光栅层，二阶光栅层设置于P型限制层上。实现了高功率、高光束质量双向激光输出；此外该双向输出半导体激光器制作简单，体积小，适用于半导体激光加工、光纤激光器和固体激光器泵浦等领域应用。 |
| 公开日期 | 2019-04-26 |
| 申请日期 | 2019-01-22 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55194]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邹永刚,海一娜,范杰,等. 一种双向输出半导体激光器. CN109687286A. 2019-04-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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