一种高密度VCSEL阵列结构及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 彭钰仁; 贾钊; 赵炆兼; 郭冠军; 曹广亮; 赵丽 |
| 发表日期 | 2019-04-26 |
| 专利号 | CN109687288A |
| 著作权人 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种高密度VCSEL阵列结构及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种高密度VCSEL阵列结构及其制备方法，结构包括依次层叠设置的衬底、第一DBR层、有源层、氧化层、第二DBR层和欧姆接触层，所述欧姆接触层远离所述第二DBR层的表面设有多个相互独立的出光区域，各所述出光区域的周围分别设有由所述欧姆接触层延伸至所述有源层的氧化孔，所述欧姆接触层远离所述第二DBR层的表面于除所述出光区域以外的区域均设有电极，相邻两个所述出光区域通过所述电极连通。有效地增加了欧姆接触的面积，减少了芯片接触电阻的升高，避免了电压上升、光电转换效率下降等问题。 |
| 公开日期 | 2019-04-26 |
| 申请日期 | 2019-03-01 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55200]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭钰仁,贾钊,赵炆兼,等. 一种高密度VCSEL阵列结构及其制备方法. CN109687288A. 2019-04-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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