一种高电流注入密度的半导体激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 任夫洋; 苏建; 陈康; 王金翠; 肖成峰; 郑兆河 |
| 发表日期 | 2019-04-30 |
| 专利号 | CN109698465A |
| 著作权人 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种高电流注入密度的半导体激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 一种高电流注入密度的半导体激光器，在窄脊条上GaAs接触层为内缩结构。本发明在外延片上生长做干法刻蚀用的硬质掩膜，在生长有硬质掩膜的外延片上旋涂光刻胶，并利用设定尺寸的光刻版光刻得到与所需脊条尺寸相近的光刻胶掩膜图形；使用干法刻蚀的方式以光刻胶为掩膜刻蚀硬质掩膜，继续以干法刻蚀掉外延层，形成≤5μm宽度的脊条结构；腐蚀GaAs接触层，形成内缩的脊条；再次生长SiO2做电流阻挡层；湿法腐蚀的方式去除掉GaAs接触层上表面电流阻挡层，最后形成半导体激光器。本发明利用干法刻蚀侧壁形成陡直窄脊型结构，并减小脊条顶部GaAs接触尺寸，提高了电流注入密度，增强光电转换效率。 |
| 公开日期 | 2019-04-30 |
| 申请日期 | 2017-10-20 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55202]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 任夫洋,苏建,陈康,等. 一种高电流注入密度的半导体激光器及其制备方法. CN109698465A. 2019-04-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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