垂直腔面发射激光器外延结构及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 田宇; 韩效亚; 吴真龙; 杜石磊 |
| 发表日期 | 2019-05-07 |
| 专利号 | CN109728502A |
| 著作权人 | 扬州乾照光电有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 垂直腔面发射激光器外延结构及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器外延结构及其制备方法，其中，N型DBR层由Al组分含量不同的AlYGa1‑YAs组成，不同AlYGa1‑YAs层间的势垒结减小，并利用相邻AlYGa1‑YAs层之间的应力变化拉伸势垒高度，使得N型DBR层的势垒结整体深度变浅，降低N型DBR层的串联阻值，降低N型DBR层两端的电压，减小DBR层的阈值电流，使得电流在N型DBR层中消耗较少，进而减小外延结构的热损耗，提高外延结构的功率转换效率和斜率效率。另外，不同Al组分的AlYGa1‑YAs之间形成台阶，势垒差减小，可以使电子更容易跃迁，电子与空穴复合对数增多，使粒子反转数增多，提高增益。 |
| 公开日期 | 2019-05-07 |
| 申请日期 | 2019-01-08 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55220]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 扬州乾照光电有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田宇,韩效亚,吴真龙,等. 垂直腔面发射激光器外延结构及其制备方法. CN109728502A. 2019-05-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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