一种基于碳保护膜的半导体激光器外延片的退火方法
文献类型：专利
| 作者 | 林涛; 郝莎莎; 宁少欢; 李晶晶 |
| 发表日期 | 2019-05-10 |
| 专利号 | CN109742649A |
| 著作权人 | 西安理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种基于碳保护膜的半导体激光器外延片的退火方法 |
| 英文摘要 | 一种基于碳保护膜的半导体激光器外延片的退火方法，包含下述步骤：1)650℃‑720℃条件下，在衬底上先生长一层缓冲层，再依次生长半导体激光器的材料结构中的其他各层薄膜，获得半导体激光器外延片；2)半导体激光器外延片表面处理，在半导体激光器外延片的表面涂覆光刻胶，将光刻胶在高温下进行固化和碳化，使其表面形成一层致密的碳保护膜；3)退火处理，将表面有碳保护膜的半导体激光器外延片在高温退火炉中进行高温退火处理；4)去除半导体激光器外延片表面的碳保护膜，通过去碳保护膜溶液浸泡和超声清洗来除去退火后的半导体激光器外延片表面的碳保护膜；可有效降低外延片缺陷密度，提高激光器外延片质量，保证激光器的优越性能。 |
| 公开日期 | 2019-05-10 |
| 申请日期 | 2018-12-10 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55225]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 西安理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林涛,郝莎莎,宁少欢,等. 一种基于碳保护膜的半导体激光器外延片的退火方法. CN109742649A. 2019-05-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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