一种双光路脉冲激光在Si（100）基片上沉积InGaN薄膜的方法
文献类型：专利
| 作者 | 陆珊珊; 刘宇伦; 莫观孔; 莫组康; 沈晓明; 何欢 ; 符跃春
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| 发表日期 | 2019-05-31 |
| 专利号 | CN109830429A |
| 著作权人 | 广西大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种双光路脉冲激光在Si（100）基片上沉积InGaN薄膜的方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种双光路脉冲激光沉积设备及其应用在Si(100)基片上沉积InGaN薄膜的方法，所述设备能够将激光分为双路对靶材进行照射，具体方法为：将清洁好的Si(100)衬底放入基片台上加热至650℃～750℃并保温50～70min；依次沉积TiN、AlN、GaN、InGaN层，采用的激光能量分别为150‑250mJ、50‑150mJ、200‑300mJ、100‑200mJ，沉积时间分别为10～30min、30～50min、50～70min、50～70min；所述InGaN层采用双光路工艺进行。本发明能够提高薄膜晶体质量，同时还可大幅度提高器件如半导体激光器、发光二极管及太阳能电池的效率。 |
| 公开日期 | 2019-05-31 |
| 申请日期 | 2019-01-23 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55262]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 广西大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陆珊珊,刘宇伦,莫观孔,等. 一种双光路脉冲激光在Si（100）基片上沉积InGaN薄膜的方法. CN109830429A. 2019-05-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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