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半导体激光器TO管座底板半孔钎焊工艺

文献类型:专利

作者刘玉堂
发表日期2019-06-07
专利号CN109848500A
著作权人无锡市博精电子有限公司
国家中国
文献子类发明申请
其他题名半导体激光器TO管座底板半孔钎焊工艺
英文摘要本发明属于TO管座制备方法的技术领域,涉及一种半导体激光器TO管座底板半孔钎焊工艺,其包括开启烧结炉、设定炉温、炉温计量、开启氮气、启动履带、开启冷却水、炉前初检、空炉烧结、烧结、出炉等步骤;本发明具有在开始烧结管座之前使烧结炉内各区域的温度分布均匀,并将烧结炉内原有的空气完全排出,从而保证管座的烧结质量,降低次品率的效果。
公开日期2019-06-07
申请日期2019-03-20
状态申请中
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55286]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位无锡市博精电子有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
刘玉堂. 半导体激光器TO管座底板半孔钎焊工艺. CN109848500A. 2019-06-07.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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