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一种垂直腔面发射激光器芯片及制作方法

文献类型:专利

作者刘凯; 罗俊伟; 位祺; 黄永清; 段晓峰; 王琦; 任晓敏; 蔡世伟
发表日期2019-06-11
专利号CN109873296A
著作权人北京邮电大学
国家中国
文献子类发明申请
其他题名一种垂直腔面发射激光器芯片及制作方法
英文摘要本发明实施例提供一种垂直腔面发射激光器芯片及制作方法,采用相应的第二多层材料膜反射镜层和金属反射镜层构成的组合反射镜作为VCSEL的非出光面(底面)反射镜,并且第二多层材料膜反射镜层的对数少于由第一多层材料膜反射镜层构成的VCSEL的(顶面)出光面反射镜的对数,第二多层材料膜反射镜层的反射率低于第一多层材料膜反射镜层的反射率。采用的上述组合反射镜代替了传统的垂直腔面发射激光器芯片第二包层下面的分布式布拉格反射镜构成的底面反射镜,可以在较少的材料膜反射镜层对数的情况下获得所需的高反射率,同时可以减少相应的材料应力和串联电阻,在减小器件制作工艺难度的情况下提升器件的性能。
公开日期2019-06-11
申请日期2019-03-26
状态申请中
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55295]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位北京邮电大学
推荐引用方式
GB/T 7714
刘凯,罗俊伟,位祺,等. 一种垂直腔面发射激光器芯片及制作方法. CN109873296A. 2019-06-11.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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