用于制造半导体激光器的方法和半导体激光器
文献类型:专利
作者 | 艾尔弗雷德·莱尔; 格奥尔格·布吕德尔; 约翰·布鲁克纳; 斯文·格哈德; 穆罕默德·阿利; 托马斯·阿德霍奇 |
发表日期 | 2019-06-14 |
专利号 | CN109891691A |
著作权人 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 用于制造半导体激光器的方法和半导体激光器 |
英文摘要 | 提出一种用于制造半导体激光器(100)的方法,所述方法具有下述步骤:‑提供衬底(1),所述衬底具有半导体层序列(2),所述半导体层序列具有有源层(3),所述有源层设计和设置用于,在所述半导体激光器(100)运行时产生光(8),‑将连贯的接触层(11)施加在所述衬底(1)的与所述半导体层序列(2)相对置的下侧(10)上,所述接触层具有至少一个第一子区域(12)和至少一个第二子区域(13),‑仅在至少一个第一子区域(12)中局部热处理所述接触层(11),尤其借助于基于激光器的辐照方法。此外,提出一种半导体激光器。 |
公开日期 | 2019-06-14 |
申请日期 | 2017-10-25 |
状态 | 申请中 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55303] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 艾尔弗雷德·莱尔,格奥尔格·布吕德尔,约翰·布鲁克纳,等. 用于制造半导体激光器的方法和半导体激光器. CN109891691A. 2019-06-14. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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