电泵浦深紫外AlGaN半导体激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 黎大兵; 王勇; 孙晓娟; 贾玉萍; 石芝铭; 刘新科 |
| 发表日期 | 2019-06-14 |
| 专利号 | CN109888612A |
| 著作权人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 电泵浦深紫外AlGaN半导体激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 电泵浦深紫外AlGaN半导体激光器及其制备方法涉及半导体激光器制造技术领域，解决了无法实现更短发光波长的问题，包括从下至上依次设置的衬底、AlN缓冲层、n型AlGaN限制层、n型AlGaN波导层、AlGaN有源层、p型AlGaN波导层、p面高反射率限制层，还包括设置在n型AlGaN限制层上且不连接n型AlGaN波导层的n面电极、设置在p型AlGaN波导层上且不连接p型AlGaN波导层的p面电极。方法包括在衬底上外延生长、p型掺杂；光刻、刻蚀电极图形；沉积金属电极；制备谐振腔面；腔面膜沉积。本发明降低了器件的阈值密度电流密度、提高器件的内量子效率、降低发光波长；制备方法工艺简单且应用前景广阔。 |
| 公开日期 | 2019-06-14 |
| 申请日期 | 2019-04-17 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55308]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黎大兵,王勇,孙晓娟,等. 电泵浦深紫外AlGaN半导体激光器及其制备方法. CN109888612A. 2019-06-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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