一种纳米线激光器外延结构及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 董海亮; 许并社; 贾志刚; 张爱琴; 屈凯; 李天保; 梁建 |
| 发表日期 | 2019-06-18 |
| 专利号 | CN109904723A |
| 著作权人 | 太原理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种纳米线激光器外延结构及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明一种纳米线激光器外延结构及其制备方法，属于半导体材料技术领域；提供了一种高电光转换效率、可靠性高的大功率激光器件及其制备方法；该纳米线激光器外延结构，包括偏角衬底以及在偏角衬底依次生长的N型掺杂的缓冲层、N型掺杂的限制层、N型掺杂的波导层、量子线有源层、P型掺杂的波导层、P型掺杂的限制层、P型掺杂的顶层和P型高掺杂的电极接触层，偏角衬底所用材料为带有偏角的GaAs衬底，GaAs衬底中的{100}晶面偏向{011}晶面；本发明可广泛应用于半导体激光器领域。 |
| 公开日期 | 2019-06-18 |
| 申请日期 | 2019-03-18 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55319]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 太原理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 董海亮,许并社,贾志刚,等. 一种纳米线激光器外延结构及其制备方法. CN109904723A. 2019-06-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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