垂直共振器面発光レーザ薄型ウエハの反り制御
文献类型：专利
| 作者 | エリック アール ヘグブロム |
| 发表日期 | 2019-06-20 |
| 专利号 | JP2019075529A5 |
| 著作权人 | ルーメンタム オペレーションズ エルエルシー |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 垂直共振器面発光レーザ薄型ウエハの反り制御 |
| 英文摘要 | 【課題】GaAs基板上に成長させた場合、AlGaAsは圧縮応力がかかる故に、エピタキシャル層はVCSELウエハの一体化された歪みの大部分を占め、VCSELウエハの大部分に反りを生じるという問題がある。 【解決手段】垂直共振器面発光レーザ(VCSEL)ウエハは、基板層104と、基板層104上に成長させたエピタキシャル層106と、VCSELウエハを薄型化した後のVCSELウエハの反りを制御するための歪補償層124とを含む。歪補償層124は、基板層104のエピタキシャル側に配置することができる。また、歪補償層は、VCSELウエハのエピタキシャル層106の圧縮歪みを少なくとも部分的に補償することによって、薄型化されたVCSELウエハの反りを制御することができる。 【選択図】図1A |
| 公开日期 | 2019-06-20 |
| 申请日期 | 2018-03-20 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55325]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ルーメンタム オペレーションズ エルエルシー |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | エリック アール ヘグブロム. 垂直共振器面発光レーザ薄型ウエハの反り制御. JP2019075529A5. 2019-06-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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