非对称微盘腔边发射半导体激光器阵列
文献类型：专利
| 作者 | 晏长岭; 杨静航; 刘云; 冯源; 郝永芹; 逢超 |
| 发表日期 | 2019-06-21 |
| 专利号 | CN109921284A |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 非对称微盘腔边发射半导体激光器阵列 |
| 英文摘要 | 非对称微盘腔边发射半导体激光器阵列属于半导体激光器技术领域。现有半导体激光器线列叠阵在光束整形、输出耦合上面临多重技术难题。在本发明中，构成激光器阵列的激光器单管为非对称微盘腔边发射半导体激光器；前排激光器线列、后排激光器线列位于同一衬底上，在前排激光器线列中，3～4个激光器单管按相同几何中心距一字排列，在后排激光器线列中，2～4个激光器单管按相同几何中心距一字排列，前排激光器线列中的激光器单管几何中心距与后排激光器线列中的各个激光器单管几何中心距相同；所述各个激光器单管出光方向相同且朝向前方，后排激光器线列中的激光器单管出射光光轴与前排激光器线列中最近接的激光器单管的几何中心相距二分之一几何中心距。 |
| 公开日期 | 2019-06-21 |
| 申请日期 | 2019-04-22 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55333]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 晏长岭,杨静航,刘云,等. 非对称微盘腔边发射半导体激光器阵列. CN109921284A. 2019-06-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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