非对称微盘腔边发射半导体激光器阵列叠阵
文献类型：专利
| 作者 | 晏长岭; 杨静航; 刘云; 冯源; 郝永芹; 逢超 |
| 发表日期 | 2019-07-12 |
| 专利号 | CN110011179A |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 非对称微盘腔边发射半导体激光器阵列叠阵 |
| 英文摘要 | 非对称微盘腔边发射半导体激光器阵列叠阵属于半导体激光器技术领域。现有技术由多个线列叠加构成叠阵，光束整形、输出耦合等后续环节存在的技术难题更为突出。在本发明中，自热沉起由下而上若干阵列基片、微通道散热板交替叠放，最上方为阵列基片；阵列基片的数量为3～5个；阵列基片由衬底及在衬底上通过刻蚀制作的、以阵列方式排列的若干非对称微盘腔构成，所述阵列方式是指若干非对称微盘腔按相同几何中心距分别一字排列成前排激光器线列、后排激光器线列，所述各个非对称微盘腔出光方向相同且朝向前方，后排激光器线列中的非对称微盘腔出射光光轴与前排激光器线列中最接近的非对称微盘腔的几何中心相距二分之一几何中心距。 |
| 公开日期 | 2019-07-12 |
| 申请日期 | 2019-04-22 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55372]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 晏长岭,杨静航,刘云,等. 非对称微盘腔边发射半导体激光器阵列叠阵. CN110011179A. 2019-07-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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