一种脊形波导半导体激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 胡俊杰; 李德尧; 张立群; 刘建平; 张书明; 杨辉 |
| 发表日期 | 2019-07-16 |
| 专利号 | CN110021877A |
| 著作权人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种脊形波导半导体激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种脊形波导半导体激光器及其制备方法，在所述脊形波导半导体激光器中，通过对脊形部两侧和所述脊形部上的覆盖层的两侧进行离子注入，形成离子注入区，载流子几乎仅能在所述离子注入区以外的中央区域通过，利用了基模与高阶模增益的差别，抑制了高阶模的激射，使得所述脊形波导半导体激光器能在较大的脊形条宽时下仍能以基模稳定地工作，由于只通过激光光子密度高的中央区域注入载流子，可大幅度提高脊形波导半导体激光器的光电转换效率和斜率效率，实现大功率基模激光激射。 |
| 公开日期 | 2019-07-16 |
| 申请日期 | 2018-01-10 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55380]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡俊杰,李德尧,张立群,等. 一种脊形波导半导体激光器及其制备方法. CN110021877A. 2019-07-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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