石墨烯-介质DBR单模垂直腔面发射激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 关宝璐; 王志鹏; 张峰 |
| 发表日期 | 2019-07-23 |
| 专利号 | CN110048305A |
| 著作权人 | 北京工业大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 石墨烯-介质DBR单模垂直腔面发射激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 石墨烯‑介质DBR单模垂直腔面发射激光器及其制备方法，涉及半导体激光器和石墨烯领域。本发明的结构通过多片集成的方式获得，half‑VCSEL、石墨烯和上DBR分别进行制备，half‑VCSEL制备完成后在其上面转移石墨烯，最后得到具有曲率的上DBR部分，形成完整的VCSEL结构。将横向光场限制在顶部，增加了高阶模损失和阈值增益，从而产生高质量的单模，同时降低了器件的接触电阻。 |
| 公开日期 | 2019-07-23 |
| 申请日期 | 2019-04-19 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55396]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 关宝璐,王志鹏,张峰. 石墨烯-介质DBR单模垂直腔面发射激光器及其制备方法. CN110048305A. 2019-07-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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